報(bào)告題目：等離子體元器件納米材料研究

報(bào) 告 人：陳力俊 院士

報(bào)告地點(diǎn)：材料科學(xué)與工程學(xué)院1C202

報(bào)告時(shí)間：2019年4月25日（周四）9:00-10:00

科技處 材料科學(xué)與工程學(xué)院

2019年4月23日

報(bào)告人簡介

陳力俊，曾先后獲得臺(tái)灣中央研究院院士、發(fā)展中國家科學(xué)院院士、亞太先進(jìn)材料學(xué)術(shù)院院士、俄羅斯國際工程學(xué)院院士、美國材料研究學(xué)會(huì)會(huì)士、美國真空學(xué)會(huì)會(huì)士、國際材料研究學(xué)會(huì)聯(lián)合會(huì)第二副會(huì)長、國際期刊《材料化學(xué)與物理》(Materials Chemistry and Physics)主編，美國電化學(xué)學(xué)會(huì)電子與光子學(xué)獎(jiǎng)、美國材料與礦冶學(xué)會(huì)Hume-Rothery獎(jiǎng)等多項(xiàng)重要指標(biāo)性學(xué)術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)及榮譽(yù)。研究領(lǐng)域?yàn)榈途S納米材料制程、檢測(cè)與應(yīng)用，納米材料原子動(dòng)力學(xué)，原子分辨顯微鏡學(xué)，集成電路金屬薄膜材料，其中納米材料的結(jié)構(gòu)、合成與應(yīng)用研究，包括：一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)成長與應(yīng)用、低維納米材料原子尺度結(jié)構(gòu)及動(dòng)力學(xué)研究、硅晶及硅鍺合金納米結(jié)構(gòu)及其光電特性、納米線的發(fā)光特性等研究，成果非常突出。